• Дослідження впливу ядерних випромінювань на фізичні властивості атомарних і бінарних напівпровідників та приладів на їх основі;
• Дослідження радіаційних і ростових дефектів у напівпровідниках та кінетики перебудови дефектно-домішкових комплексів;
• Нейтронно-трансмутаційне легування напів¬провідників і вивчення їх властивостей;
• Розробка та виготовлення різних типів напів¬провідникових детекторів для дозиметрії та спектрометрії ядерних випромінювань

Головні результати: (2007) (2008) (До початку)

• Встановлено, що в опроміненому кремнії відбувається скорочення часу преципітації кисню. Це явище пояснюється додатковим введенням центрів зародків преципітатів за участю первинних радіаційних дефектів, що згенеровані під дією опромінення. Прискорення преципітації кисню в опроміненому кремнії визначається загальною концентрацією наведених точкових радіаційних дефектів, тобто флюенсом опромінення. Визначено, що час 50 %-ної преципітації кисню при відпалі (600 - 800^оС) у кремнії, опроміненому нейтронами з флюенсом <10¹⁶ н/см², скорочується майже на порядок, а з флюенсом >10¹⁶ н/см2 - процес преципітації кисню в кремнії стає гомогенним і кінетика преципітації обумовлюється, в основному, радіаційними дефектами, наведеними попереднім нейтронним опроміненням;
• Доведено, що циклічне навантаження ультразвуком фосфід-галієвих приладів з великою густиною мікроплазм зменшує їхню кількість. Подібне гасіння є наслідком взаємодії рухомих дислокацій із нерівноважним скупченням дефектів. Особливо виразно такий ефект проявляється на зразках, що містять радіаційні дефекти;
• В антимоніді індію, опроміненому зарядженими частинками, виявлено явище надпровідності;
• Визначено, що в нейтронно-трансмутаційно легованому кремнії підвищується радіаційна стійкість (до гамма-опромінення приблизно у 10 разів і до нейтронного опромінення приблизно у два рази) за рахунок стоків, які створено під час нейтронного легування та технологічного відпалу кремнію;
• Розробляються та виготовляються різні типи напівпровідникових детекторів для ядерно-фізичних експериментів інституту. Напівпровідникові детектори також поставляються до Лабораторії ядерних реакцій ім. Г. М. Фльорова Об’єднаного інституту ядерних досліджень (м. Дубна, Росія).

Публікації: (2007) (2008)(До початку)

1. Бабич В. М., Долголенко О. П., Оліх Я. М., Тимочко М. Д. Вплив ультразвуку на електричну активність радіаційних дефектів у  опромінених кристалах кремнію n типу // Ядерна фізика та енергетика. – 2007. – № 1 (19). – С. 95-102.
2. Варенцов М. Д., Гайдар Г. П., Долголенко О. П., Литовченко П. Г. Відпал кластерів дефектів у зразках Si та Si<Ge>, вирощених методом Чохральського // Укр. фіз. журн. – 2007. – Т. 52, N 4. – С. 372-377.
3. Долголенко А. П., Варенцов М. Д., Гайдар Г. П., Литовченко П. Г. Скорость введения дефектов в зависимости от дозы облучения р Si быстрыми нейтронами реактора // Ядерна фізика та енергетика. – 2007. – № 2 (20). – С. 89-96.
4. Dolgolenko A. P., Gaidar G. P., Varentsov M. D., Litovchenko P. G. The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium // Semicond. Phys. Quantum. Electr. & Optoel. – 2007. – V. 10, N 1. – P. 5-13.
5. Н. Л. Дмитрук, О. С. Кондратенко, П. В. Кучинский, М. Б. Пинковская, В. И. Хиврич. Эллипсометрические исследования поверхности кремния, облученного 6,8 МэВ протонами и 27,2 МэВ α-частицами //Proc. of 7-th Intern. Conf., Minsk, Sept. 26-28. – 2007.
6. Л. І. Барабаш, І. М. Вишневський, А. А. Гроза, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, М. І. Старчик. Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів // Вопросы атомной науки и техники. – 2007. №2. – С. 182-189.
7. З. Д. Ковалюк, О. А. Политанская, П. Г. Литовченко, В. Ф. Ластовецкий, О. П. Литовченко, В. К. Дубовой, Л. А. Поливцев. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур n–p-InSe // Письма в ЖТФ. 2007, том 33, вып. 18. С. 14-22.
8. S. O. Gordsienko, V. V. Il’chenko, V. І. Khivrych, P. V. Kuchynski, M. B. Pinkovska. The features of the current-voltage characteristics of the proton radiation treatment surface Si at the gas absorption // Праці 3-ї Міжнародної конференції “Електроніка та прикладна фізика”, КНУ ім. Т. Шевченка, Київ, жовтень. 2007. С. 53-54.
9. L.A. Vlasukova, N.L. Dmytruk, O.S. Kondratenko, P.V. Kuchynsky, V.I. Khivrych, M. Pinkovska. Formation of tracks in amorphous SiO2 by irradiation of ions Ar, Xe, Bi // Праці 3-ї Міжнародної конференції “Електроніка та прикладна фізика”, КНУ ім. Т. Шевченка, Київ, жовтень. 2007. С. 67.